IPA65R150CFDXKSA2-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:24A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:110mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備650V的漏源耐壓（VDSS）和24A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）典型值為110mΩ，有助于降低導通損耗。柵源電壓范圍為-4V至!8V，支持穩定驅動與可靠關斷。采用寬禁帶半導體材料，具有優異的高溫工作性能和開關特性，適用于高功率密度電源系統。常見于高效直流-交流逆變裝置、高壓直流變換拓撲及高頻開關電源模塊中，可提升系統效率并減少散熱設計負擔。
