S1M075120D2_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:36A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:80mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為1200V碳化硅N溝道場效應晶體管（MOSFET），具備優異的高壓與高頻工作特性。其額定漏極電流ID為36A，導通電阻RDON為80毫歐，能夠在高效率功率變換中實現較低的導通損耗。碳化硅材料賦予器件更強的熱導率與耐高溫性能，適合用于高頻率開關電源、高效能轉換器及逆變系統。該MOSFET可廣泛應用于能源管理、智能電網、高性能計算設備及精密電子設備中的功率因數校正（PFC）、DC-DC轉換以及交流-直流變換電路，滿足高可靠性與高效能的系統設計需求。
