B1M160120HC_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:18A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:160mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），具有1200V的漏源擊穿電壓（VDSS）和18A的額定漏極電流（ID），導通電阻（RDON）低至160mΩ，表現出優異的導電性能與低損耗特性。基于碳化硅材料的優勢，該器件具備高熱導率和耐高溫能力，適用于高頻開關和高效能轉換場景，如電源轉換模塊、儲能系統、智能家電及能源管理設備中，滿足對效率與可靠性要求較高的技術應用需求。
