SIHA21N80AEF-GE3-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:13.3A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:200mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具有800V的漏源耐壓（VDSS）和13.3A的連續漏極電流（ID），導通電阻低至200mΩ，適用于高效率功率轉換設計。柵源電壓范圍為-4V至!8V，具備良好的開關特性與熱穩定性。基于碳化硅材料的特性，器件可在高頻、高溫及高壓環境下可靠運行，適用于開關電源、光伏逆變、儲能系統及高密度電源模塊等應用，有助于提升系統整體能效并減小體積。
