SIHA15N65E-GE3-HXY_TO-220F_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管具備650V的漏源耐壓（VDSS）和20A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻為160mΩ，在高頻開(kāi)關(guān)條件下仍能保持較低的導(dǎo)通損耗。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩(wěn)定可靠的柵極驅(qū)動(dòng)控制。得益于碳化硅材料的高臨界電場(chǎng)強(qiáng)度與高熱導(dǎo)率特性，該器件具有優(yōu)異的高溫工作性能和快速開(kāi)關(guān)響應(yīng)，適用于高效率AC-DC電源、大功率DC-DC變換器及光伏逆變模塊等場(chǎng)景，有助于提升系統(tǒng)功率密度并降低整體能耗。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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