IPA60R199CPXKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道碳化硅場效應管具備650V的漏源電壓（VDSS）和20A的連續漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDS(on)）低至160mΩ，可有效降低導通損耗，提升系統效率。柵源電壓范圍為-5V至!6V，確保可靠的開關控制與驅動兼容性。基于碳化硅材料的優異特性，該器件支持高頻工作，具有出色的耐溫與耐壓性能，適用于高效率電源轉換設計，如開關模式電源、DC-DC變換器及高密度功率模塊等場景，有助于減小被動器件體積并提升整體功率密度。
