PCDD0865G1_L2_00001_TO-252N-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252N-2L 類別：碳化硅二極管 最小包裝：2500/圓盤 參數1：IF:8A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.4V 參數4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅二極管為獨立式單管結構，額定平均正向整流電流為8A，最高可承受650V反向重復峰值電壓，正向導通壓降為1.4V。得益于碳化硅材料的寬禁帶特性，器件具備優異的高溫工作能力與高熱導性能，同時實現快速反向恢復與低導通損耗。其電氣特性適合應用于高效率直流-直流轉換器、不間斷電源模塊及高密度電源適配器中，尤其在高頻開關環境下可顯著降低能量損耗，提升系統整體能效與可靠性，適用于對空間布局與散熱設計有較高要求的先進電力電子裝置。
