IPA65R190E6XKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和20A的額定漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）低至160mΩ，可減少導通損耗。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩定可靠的柵極驅動控制。采用碳化硅材料，器件具有優異的耐高溫性能和高頻開關能力，適用于高效率的功率變換拓撲，如PFC電路、DC-DC轉換器及逆變電源，能夠滿足對系統效率、功率密度和熱管理有較高要求的應用需求。
