STF33N65M2-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:24A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:110mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源耐壓（VDSS）和24A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）典型值為110mΩ，可有效降低導通損耗。柵源電壓范圍為-4V至!8V，支持穩定可靠的柵極驅動控制。基于碳化硅材料特性，器件具備優異的高頻開關能力與高溫工作穩定性，適用于高功率密度電源系統。常見應用場景包括高效開關電源、大功率DC-DC轉換器、儲能系統中的逆變單元以及對能效和散熱有較高要求的電力電子裝置。
