R6530ENXC7G-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:24A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:110mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具有650V的漏源電壓（VDSS）和24A的連續漏極電流（ID），導通電阻低至110mΩ，適用于高效率功率轉換設計。柵源電壓范圍為-4V至!8V，具備良好的柵極可靠性與開關穩定性。基于碳化硅材料特性，器件支持高頻工作，同時降低開關損耗與熱耗散。典型應用于高效開關電源、高壓DC-DC變換器、光伏逆變系統及高密度電源模塊，適合對功率密度與能效有較高要求的場景。
