CDMSJ22013.8-650SL-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和15A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDON）低至260mΩ，有助于減少導通損耗并提升能效。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持可靠驅動控制。基于碳化硅材料特性，器件具備優異的耐高溫性能與快速開關能力，適用于高頻率、高效率的電力轉換電路。典型應用涵蓋高壓DC-DC變換器、不間斷電源、光伏逆變系統及高功率密度電源模塊，適用于對體積與效率有較高要求的電力電子設計場景。
