AOTF25S65_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道碳化硅MOSFET具備650V漏源電壓（VDSS）和20A連續漏極電流（ID），導通電阻低至160mΩ，有助于減少導通損耗并提升系統效率。柵源電壓范圍為-5V至!6V，兼容主流驅動電路設計。依托碳化硅材料優勢，器件具有出色的耐高溫性能、快速開關能力以及較低的開關損耗，適用于高頻率工作的拓撲結構。典型應用包括高效能電源轉換模塊、不間斷電源系統、光伏逆變裝置、數據中心電源及高功率密度變換器等場合。
