TRS8V65H,LQ_DFN8X8_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN8X8 類別:碳化硅二極管 最小包裝:3000/圓盤 參數1:IF:8A 參數2:VR:650V 參數3:VF:1.3V 參數4:二極管配置:獨立式 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅二極管采用獨立式配置,具備8A的正向電流(IF)和650V的反向重復峰值電壓(VR),正向壓降(VF)低至1.3V。器件利用碳化硅材料特性,實現快速開關響應與高熱穩定性,反向恢復時間極短,有效降低開關損耗。適用于高頻率、高效率的電源轉換場景,如開關模式電源、功率因數校正電路、DC-DC轉換器及高密度電源模塊,能夠在較寬的溫度范圍內穩定運行,提升系統整體能效與可靠性。
