IXTP24N65X2M-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:24A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:110mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源電壓（VDSS）和24A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）典型值為110mΩ，有助于降低導通損耗并提升系統效率。柵源電壓范圍為-4V至!8V，確保柵極驅動的穩定性與器件可靠性。依托碳化硅材料優勢，該器件支持高頻開關操作，具備較低的開關損耗與優異的熱性能。適用于高效率開關電源、高壓直流變換器、光伏逆變裝置及高功率密度電源模塊等應用，尤其適合對能效、功率密度和散熱管理有較高要求的電力電子系統設計。
