R6515ENXC7G-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和15A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDON）為260mΩ，在高溫與高電壓工況下仍能保持優(yōu)異的導(dǎo)通性能。柵源電壓范圍-5V至!6V，支持標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動電路兼容?；谔蓟璨牧系奶匦?，器件具備低開關(guān)損耗、高工作頻率和良好熱穩(wěn)定性，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如大功率開關(guān)電源、直流變換模塊、可再生能源發(fā)電逆變裝置及高功率密度電源單元，有助于提升系統(tǒng)能效并減少散熱需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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