IPA65R190CFDXKSA2-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和20A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDON）典型值為160mΩ，可有效降低導(dǎo)通損耗。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩(wěn)定可靠的柵極驅(qū)動(dòng)控制。基于碳化硅材料的高開關(guān)速度與耐高溫特性，該器件適用于高頻率、高效率的功率轉(zhuǎn)換電路，如大功率開關(guān)電源、光伏逆變裝置及高密度電源系統(tǒng)，能夠滿足對能效和功率密度有較高要求的應(yīng)用場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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