AS1M040120T_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247-4L 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數1:ID:60A 參數2:VDSS:1200V 參數3:RDON:40mR 參數4:TYPE:N-ch 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為1200V N溝道碳化硅場效應管(MOSFET),采用高性能碳化硅半導體技術,具備優異的導電效率與低損耗特性。器件最大漏極電流ID可達60A,導通電阻RD(ON)低至40mΩ,支持高電流密度與高效率功率轉換。適用于高功率開關電源、高效逆變系統、儲能設備及高頻電力電子裝置等多種應用環境。器件具備良好的熱管理能力與長期工作穩定性,可滿足復雜電路對高性能功率器件的需求。
