YJD212080NCFG1Q_TO-247-4L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:32A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購(gòu)買>-------
本產(chǎn)品為高性能碳化硅（SiC）N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），具備優(yōu)異的導(dǎo)電性能和穩(wěn)定的耐壓特性。其漏極電流ID為32A，漏源擊穿電壓VDSS為1200V，導(dǎo)通電阻RDON為75mΩ，能夠在高頻率和高電壓環(huán)境下實(shí)現(xiàn)較低的導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗。適用于高效電源轉(zhuǎn)換、可再生能源系統(tǒng)、智能電網(wǎng)設(shè)備及高密度電力電子模塊，為多種高要求場(chǎng)景下的電力控制與傳輸提供可靠支持。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
高新企業(yè)
