GC210N80FE-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:13.3A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:200mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具有800V的漏源耐壓（VDSS）和13.3A的連續漏極電流（ID），導通電阻為200mΩ，適用于高電壓與高效率的電力轉換場景。柵源電壓范圍為-4V至!8V，支持可靠的柵極驅動與器件保護。基于碳化硅半導體材料，具備優異的開關特性、耐高溫性能及低損耗優勢。可廣泛應用于高壓電源模塊、可再生能源逆變裝置、儲能系統中的功率變換電路以及高密度開關電源設計，有助于提升系統整體能效與功率密度。
