E3D08065G-TR-HXY_TO-263N_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數1：IF:8A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.42V 參數4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅二極管采用獨立式配置，具備8A的正向電流（IF）和650V的反向重復峰值電壓（VR），在高負載條件下可保持穩定性能。其正向壓降（VF）典型值為1.42V，有助于降低導通損耗，提升系統能效。器件利用碳化硅材料特性，具有優異的開關速度和高溫工作能力，適用于高頻開關電源、高效直流-直流轉換器及高密度電源模塊等場景，可有效改善電路的熱管理表現與整體效率。
