SPA11N65C3-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和15A的額定漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）典型值為260mΩ，可有效降低導通損耗。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持可靠的柵極驅動控制。基于碳化硅材料特性，器件具有優異的高溫穩定性、高開關速度和低開關損耗，適用于高頻率、高效率的電力轉換場景。典型應用涵蓋高密度電源適配器、大功率開關電源、可再生能源發電系統中的逆變單元及儲能系統的功率調節模塊。
