IPAW60R280CE-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道碳化硅場效應管具備650V漏源電壓（VDSS）和20A連續漏極電流（ID）能力，導通電阻低至160mΩ，可顯著降低功率損耗。柵源電壓范圍為-5V至!6V，確保柵極驅動的可靠性與靈活性。依托碳化硅材料的高臨界電場與高熱導率特性，該器件支持高頻開關操作，具備優異的耐高溫性能和動態響應能力。適用于高功率密度電源系統，如大功率開關電源、高效逆變裝置及可再生能源能量轉換平臺，有助于提升系統整體效率與熱管理表現。
