IPA65R190C6XKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品為N溝道碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管，具備650V的漏源電壓（VDSS）和20A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻低至160mΩ，有助于減少導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng)控制。得益于碳化硅材料的高熱導(dǎo)率與高擊穿場(chǎng)強(qiáng)，該器件可在高頻、高溫及高壓條件下穩(wěn)定運(yùn)行，適用于高效開關(guān)電源、可再生能源發(fā)電系統(tǒng)、不間斷電源及高功率密度轉(zhuǎn)換裝置中的功率開關(guān)應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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