NCE65T130F_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:24A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:110mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具備650V的漏源電壓（VDSS）和24A的連續漏極電流（ID），導通電阻低至110mΩ，適用于高效率功率轉換設計。柵源電壓范圍為-4V至!8V，確保器件在嚴苛條件下仍具備良好的開關穩定性與可靠性。采用寬禁帶半導體材料，具有優異的高溫工作性能和快速開關特性，可有效降低系統損耗。廣泛應用于高效電源模塊、可再生能源逆變系統、高密度電源轉換器及高壓直流配電裝置中，適合對熱性能和能效要求嚴苛的場景。
