NVD360N65S3T4G-HXY_TO-252-2L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管具備650V的漏源電壓（VDSS）和15A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻低至260mΩ，適用于高效率、高頻率的電力轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。其柵源電壓范圍為-5V至!6V，確保了穩(wěn)定可靠的開(kāi)關(guān)控制。得益于碳化硅材料的優(yōu)異特性，器件具有出色的耐壓能力與熱穩(wěn)定性，可顯著降低開(kāi)關(guān)損耗。典型應(yīng)用包括高效電源模塊、可再生能源逆變系統(tǒng)及高密度功率變換裝置，適合對(duì)能效和功率密度有較高要求的電路設(shè)計(jì)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話(huà)：18929373249
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