SICB0860P-HXY_TO-263N_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數1：IF:8A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.42V 參數4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅二極管采用獨立式配置，具備8A的正向電流（IF）和650V的反向重復峰值電壓（VR），在高功率密度應用中表現出優異的電氣性能。其正向導通壓降（VF）低至1.42V，有助于減少導通損耗，提升系統整體能效。基于碳化硅材料的特性，該器件支持更高的開關頻率和工作溫度，適用于對效率和空間布局有嚴格要求的電源轉換場合，如高效開關電源、光伏逆變模塊及高密度DC-DC轉換器，能夠滿足復雜工況下的可靠性需求。
