HT120N650ADZ_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:15mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），具備高電流、低導通電阻和良好熱穩定性的特點。其額定漏極電流ID為120A，漏源電壓VDSS為650V，導通電阻RDON低至15mΩ，可顯著降低導通損耗，提高能量轉換效率。碳化硅材料的應用提升了器件的高頻響應能力和耐溫性能，適用于高功率密度電源系統、高效能逆變器及各類對效率與可靠性有較高要求的電子設備中。
