AS2M040120P_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:60A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:40mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為1200V碳化硅N溝道場效應(yīng)晶體管（MOSFET），具備60A的連續(xù)漏極電流能力及40mΩ的超低導(dǎo)通電阻。采用碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)，顯著提升器件的導(dǎo)熱效率與開關(guān)性能，適用于高功率密度與高頻開關(guān)應(yīng)用。其優(yōu)異的耐高壓與低損耗特性，廣泛應(yīng)用于高效能電源系統(tǒng)、新能源儲能、智能電網(wǎng)及精密電子設(shè)備中，滿足對效率與穩(wěn)定性有嚴(yán)苛要求的電路設(shè)計方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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