AS1M080120P_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:36A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:80mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為1200V N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），采用先進碳化硅材料工藝，具備高效、低損耗的導電特性。其最大漏極電流ID可達36A，導通電阻RD(ON)低至80mΩ，能夠在高電壓與大電流環境下穩定工作，適用于高功率密度電源系統、高效能逆變器及高頻率開關電源等應用場景。器件具備良好的熱穩定性和抗干擾能力，適用于多種高要求電子系統的設計與開發。
