ADQ120N040BH_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:40mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為1200V高壓碳化硅N溝道場效應晶體管（MOSFET），具備優異的導通與開關性能。在25℃環境下，連續漏極電流可達60A，導通電阻低至40毫歐，有效降低導通損耗，提高系統效率。碳化硅材料的應用使其具備更高的耐溫能力和更優的熱穩定性，適用于高頻率、高效率的電源轉換系統，如新能源發電設備中的逆變器、智能電網基礎設施及高性能充電裝置等場景。
