IMW120R040M1HXKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:87.5A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:39mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET）為N溝道增強(qiáng)型器件，連續(xù)漏極電流可達(dá)87.5A，漏源擊穿電壓為1200V，具備高電壓和大電流承載能力，適用于高性能功率轉(zhuǎn)換場景。導(dǎo)通電阻為39mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。碳化硅材料賦予其優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性、高頻特性和抗輻射能力，適合復(fù)雜電磁環(huán)境中的穩(wěn)定運(yùn)行。該器件可廣泛應(yīng)用于高效電源、可再生能源系統(tǒng)、精密控制電路以及高可靠性電子設(shè)備中，滿足對性能與穩(wěn)定性要求較高的設(shè)計需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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