FCPF190N65S3R0L-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和20A的連續(xù)漏極電流（ID），導通電阻（RDON）低至160mΩ，可有效降低導通損耗。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩(wěn)定可靠的柵極控制。基于碳化硅材料的特性，該器件具有優(yōu)異的耐高溫性能和快速開關能力，適用于高頻率、高效率的電力轉換場景。典型應用包括高效電源模塊、可再生能源發(fā)電單元、儲能系統(tǒng)的能量變換裝置以及高密度DC-DC和DC-AC轉換電路，有助于提升系統(tǒng)整體能效和功率密度。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
