KN3D10065G_DFN8X8_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8 類別：碳化硅二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：IF:10A 參數(shù)2：VR:650V 參數(shù)3：VF:1.37V 參數(shù)4：二極管配置:獨立式 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該碳化硅二極管采用獨立式配置，具備10A的正向電流（IF）和650V的反向重復(fù)峰值電壓（VR），在高電壓環(huán)境下可有效阻斷反向電流。其正向?qū)▔航担╒F）典型值為1.37V，有助于降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)整體能效。得益于碳化硅材料的特性，該器件具有優(yōu)異的開關(guān)性能和高溫工作能力，適用于高頻率、高效率的電源轉(zhuǎn)換場合，如開關(guān)模式電源、功率因數(shù)校正電路及直流-直流變換器中，能夠滿足對功率密度和熱管理有較高要求的電力電子設(shè)計需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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