FCPF360N65S3R0L-F154-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和15A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDS(on)）典型值為260mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持可靠驅(qū)動(dòng)控制。基于碳化硅材料特性，器件具備優(yōu)異的高頻開關(guān)能力與高溫工作穩(wěn)定性。適用于高效率電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如大功率開關(guān)電源、不間斷電源、儲(chǔ)能系統(tǒng)中的逆變電路，以及對(duì)功率密度和熱管理要求較高的緊湊型電力電子裝置。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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