NTD360N65S3H-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道碳化硅MOSFET具有650V漏源電壓（VDSS）和15A連續漏極電流（ID），導通電阻低至260mΩ，有助于減少導通損耗并提升系統效率。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩定可靠的柵極驅動控制。依托碳化硅材料的高耐壓與低損耗特性，該器件適用于高頻、高溫及高功率密度的工作環境。典型應用包括高效能電源模塊、可再生能源逆變裝置、大功率開關電源以及高性能電力轉換系統等。
