FL06320A-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和15A的連續漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDS(on)）典型值為260mΩ，有助于降低導通損耗。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持標準驅動電平并具備良好的柵極可靠性。基于碳化硅材料，器件具有優異的開關速度、耐高溫性能和較低的反向恢復電荷。適用于高頻率、高效率的電力轉換拓撲，如圖騰柱PFC電路、LLC諧振轉換器、高壓DC-DC變換器及光伏逆變裝置，可提升系統整體能效與功率密度。
