STD18N65M2-EP-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和15A的額定漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）典型值為260mΩ，有助于降低導通損耗。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持可靠驅動與負壓關斷，提升系統穩定性。基于碳化硅材料的特性，該器件具備優異的高頻開關性能、耐高溫能力和低開關損耗，適用于高效率電源轉換拓撲，如PFC電路、開關電源模塊、光伏逆變單元及高功率密度DC-AC變換裝置，適合對能效和熱管理有嚴苛要求的應用場景。
