IPD65R380E6BTMA1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具有650V的漏源電壓（VDSS）和15A的連續漏極電流（ID），導通電阻低至260mΩ，適用于高效率功率轉換設計。其柵源電壓范圍為-5V至!6V，具備良好的開關特性與熱穩定性。得益于碳化硅材料的優異性能，該器件可在高頻、高溫環境下可靠運行，廣泛用于電源轉換、能源變換及高密度功率模塊等應用，有助于提升系統整體能效與功率密度。
