IDK08G65C5XTMA2-HXY_TO-263N_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數1：IF:8A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.42V 參數4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該碳化硅二極管采用獨立式配置，具備8A的正向電流（IF）和650V的反向重復峰值電壓（VR），正向壓降（VF）為1.42V。其基于碳化硅材料的特性，展現出優異的開關性能和較高的工作溫度能力。該器件適用于需要高效能功率轉換的場合，可用于電源轉換系統、可再生能源逆變裝置以及高頻率開關電路中，有助于提升系統整體效率并減小散熱設計負擔，是現代高功率密度電子設備中的關鍵元件。
