E3M0120090D_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:22A 參數(shù)2：VDSS:900V 參數(shù)3：RDON:120mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品為900V N溝道碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），采用高性能碳化硅半導(dǎo)體材料，具備出色的耐高壓與導(dǎo)熱能力。其漏源導(dǎo)通電阻（RDON）為120毫歐，在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定導(dǎo)通性能，降低能量損耗。額定漏極電流（ID）為22A，適用于中高功率電源系統(tǒng)。該器件具備快速開(kāi)關(guān)響應(yīng)特性，可廣泛應(yīng)用于高效能電源轉(zhuǎn)換設(shè)備，如太陽(yáng)能逆變器、儲(chǔ)能電源管理系統(tǒng)及高頻開(kāi)關(guān)電源，為系統(tǒng)提供高效、可靠的核心支持。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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