BCZ120N21M1_TO-247-4L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247-4L 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:81A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:21mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品為1200V碳化硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），具有高耐壓、低導(dǎo)通電阻和大電流承載能力。其最大漏極電流ID為81A，導(dǎo)通電阻RD(ON)低至21mΩ，有助于顯著減少導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)能效。基于碳化硅材料的特性，該器件具備優(yōu)異的熱導(dǎo)性能和高頻開(kāi)關(guān)能力，適用于高功率密度、高效率的電力電子系統(tǒng)。可廣泛應(yīng)用于高效電源轉(zhuǎn)換、新能源系統(tǒng)、儲(chǔ)能設(shè)備及精密電力控制等場(chǎng)景，滿(mǎn)足高性能與高可靠性需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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