IPD65R380E6ATMA1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道碳化硅MOSFET具備650V漏源電壓（VDSS）和15A連續漏極電流（ID）能力，導通電阻低至260mΩ，可有效減少導通損耗，提升系統能效。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩定驅動與安全關斷。依托碳化硅材料的高耐壓與低損耗特性，該器件適用于高頻開關環境，常見于高效電源轉換電路、不間斷電源系統、可再生能源發電單元以及高功率密度DC-DC變換器中，滿足對熱性能和轉換效率要求較高的設計需求，有助于實現緊湊型、高可靠性電源方案。
