HXY28N50TP_TO-3P_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-3P 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:28A 參數(shù)2：VDSS:500V 參數(shù)3：RDON:150mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管具有500V的漏源電壓（VDSS）和20V的柵源電壓（VGS）能力，適用于高電壓開(kāi)關(guān)場(chǎng)景。其導(dǎo)通電阻（RDON）為150mΩ，在28A的連續(xù)漏極電流（ID）下可保持較低的導(dǎo)通損耗，有利于提升能效。器件結(jié)合高電壓耐受性與較強(qiáng)的電流處理能力，常用于電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洌鏒C-DC變換器、開(kāi)關(guān)電源中的功率開(kāi)關(guān)以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的控制單元，適合對(duì)開(kāi)關(guān)速度和熱穩(wěn)定性有一定要求的高性能電路設(shè)計(jì)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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