IPA60R180P7-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具備650V的漏源電壓（VDSS）和20A的連續漏極電流（ID），導通電阻低至160mΩ，適用于高效率、高頻率的功率轉換場景。其柵源電壓范圍為-5V至!6V，確保了穩定可靠的柵極控制。得益于碳化硅材料的特性，該器件具有優異的開關性能和高溫工作能力，可顯著降低系統開關損耗。典型應用包括高效電源模塊、高壓直流變換、可再生能源逆變裝置及高密度功率轉換系統，適合對熱管理與能效要求嚴苛的設計需求。
