SIHA14N60E-E3-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具備650V的漏源電壓（VDSS）和15A的連續(xù)漏極電流（ID），導通電阻低至260mΩ，可有效降低開關與導通損耗。柵源電壓范圍為-5V至!6V，確保穩(wěn)定的柵極控制與器件可靠性。采用寬禁帶半導體材料，具有優(yōu)異的高頻、高溫工作性能，適用于高效率電源轉換拓撲。典型應用場景包括高壓直流變換器、大功率開關電源、可再生能源逆變裝置及高密度功率模塊設計，有助于提升系統(tǒng)整體能效與功率密度。
