IPAW60R380CE-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道碳化硅MOSFET具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和15A的額定漏極電流（ID），導通電阻（RDON）典型值為260mΩ，可有效降低導通損耗。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩定可靠的柵極控制。基于碳化硅材料的高耐壓與低損耗特性，該器件適用于高頻、高效率的功率變換場景，如大功率開關電源、高密度AC-DC/DC-DC轉換模塊、可再生能源發電中的逆變系統以及高要求的電源適配與能量傳輸單元，有助于提升系統能效和功率密度。
