BCD120S05D3_TO-252N-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252N-2L 類別：碳化硅二極管 最小包裝：2500/圓盤 參數1：IF:5A 參數2：VR:1200V 參數3：VF:1.38V 參數4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅二極管為獨立式單管結構，具備5A正向電流（IF）和1200V反向重復峰值電壓（VR），正向壓降為1.38V。基于碳化硅材料，器件具有優異的耐高溫性能和極快的開關速度，反向恢復電荷極低，可顯著減少開關損耗。其高耐壓特性適用于高電壓、高頻率的電力轉換場景，如高壓電源系統、不間斷電源、太陽能逆變裝置及高密度DC-DC轉換器，有助于提升系統效率并減小散熱設計負擔。
