IPAN60R280PFD7S-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和20A的額定漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDS(on)）典型值為160mΩ，可有效降低導(dǎo)通損耗。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩(wěn)定柵極驅(qū)動(dòng)控制。基于碳化硅材料特性，器件具有優(yōu)異的高頻開關(guān)能力與高溫工作穩(wěn)定性，適用于高效率功率變換拓?fù)洌绺哳lDC-DC轉(zhuǎn)換器、大功率AC-DC電源模塊及可再生能源發(fā)電系統(tǒng)中的逆變單元，有助于提升系統(tǒng)功率密度與能量轉(zhuǎn)換效率。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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