FCD260N65S3-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道碳化硅場效應管具有650V漏源電壓（VDSS）和20A連續漏極電流（ID）能力，導通電阻為160mΩ，有助于降低導通損耗，提升系統能效。柵源電壓范圍-5V至!6V，支持穩定驅動與過壓保護。碳化硅材料賦予器件優異的高頻開關特性、高溫工作穩定性及快速響應能力，適用于高效率電源轉換設計。典型應用場景包括大功率開關電源、可再生能源發電逆變單元、儲能系統功率模塊及高密度電力變換裝置，滿足對小型化、高可靠性和低損耗的電路需求。
