CI90N120SM_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:25mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為1200V碳化硅N溝道場效應晶體管（MOSFET），具備優異的導通能力和高效的開關特性。其最大漏極電流ID可達80A，導通電阻RDON低至25mΩ，顯著降低導通損耗，提高系統能效。碳化硅材料賦予器件出色的耐高壓與熱管理性能，適合高功率密度和高頻應用需求。該MOSFET可廣泛應用于高效能電源轉換、智能電網設備、精密電機驅動及高可靠性電子系統中，為先進電路設計提供強有力的支持。
